月別アーカイブ: 2012年2月

(５) 次の問いの【　　】内の(ク)に最も適したものを、下記の解答群から選び、その番号を記せ。 力率改善及び高調波抑制のために、高圧進相コンデンサとリアクタンス６％の直列リアクトルを高圧受電回路に接続したい。回路電圧を６ … 続きを読む →

(４) 次の問いの【　　】内の(キ)に適したものを、下記の解答群から選び、その番号を記せ。 高圧進相コンデンサの保護方法などについて述べた次の文章のうち、正しいものは、【　③　】である。 <(キ)の解答群> … 続きを読む →

(３) 次の問いの【　　】内の(カ)に適したものを、下記の解答群から選び、その番号を記せ。 三相変圧器の結線方法における特徴について述べた次のＡ～Ｃの文章は、【　⑤ Ａ、Ｃが正しい　】 。 Ａ △－△結線の場合、中性点接 … 続きを読む →

(２) 次の問いの【　　】内の(オ)に適したものを、下記の解答群から選び、その番号を記せ。 三相変圧器の特徴について述べた次の文章のうち、誤っているものは、【　③　】である。 ＜(オ)の解答群＞ ① 三相変圧器の巻線の結 … 続きを読む →

問４ 受電設備の装置概要及び設備設計に関する次の問いに答えよ。 (１) 次の文章は、三相変圧器の概要について述べたものである。【　　】内の(ア)～(エ)に最も適したものを、下記の解答群から選び、その番号を記せ。ただし、内 … 続きを読む →

(５) 次の問いの【　　】内の(ク)に適したものを、下記の解答群から選び、その番号を記せ。 パワーモジュールの特徴について述べた次の文章のうち、誤っているものは、【　②　】である。 ＜(ク)の解答群＞ ① パワーモジュー … 続きを読む →

(４) 次の問いの【　　】内の(キ)に適したものを、下記の解答群から選び、その番号を記せ。 ＩＧＢＴ及びその応用回路の特徴などについて述べた次のＡ～Ｃの文章は、【 ⑥ Ｂ、Ｃが正しい 】。 Ａ　ＩＧＢＴは、ＭＯＳＦＥＴの … 続きを読む →